24LC21-I/P【PDF 8/24 页】IC EEPROM 1KBIT 400KHZ 8DIP

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24LC21

It is required that V CLK be held at a logic high level in

order to program the device. This applies to byte write

and page write operation. Note that V CLK can go low

while the device is in its self-timed program operation

and not affect programming.

Note:

Page write operations are limited to writing

bytes within a single physical page,

regardless of the number of bytes

actually being written. Physical page

boundaries start at addresses that are

integer multiples of the page buffer size (or

‘page size’) and end at addresses that are

integer multiples of [page size - 1]. If a

page Write command attempts to write

across a physical page boundary, the

result is that the data wraps around to the

beginning of the current page (overwriting

data previously stored there), instead of

being written to the next page as might be

expected. It is therefore necessary for the

application software to prevent page write

operations that would attempt to cross a

page boundary.

FIGURE 4-1:

BYTE WRITE

BUS ACTIVITY

MASTER

S

T

A

R

T

Control

Byte

Word

Address

Data

S

T

O

P

SDA LINE

S

P

A

A

A

BUS ACTIVITY

C

K

C

K

C

K

V CLK

FIGURE 4-2:

BYTE WRITE

BUS ACTIVITY

MASTER

S

T

A

R

T

Control

Byte

Word

Address

Data

S

T

O

P

SDA LINE

S

P

A

A

A

BUS ACTIVITY

C

K

C

K

C

K

V CLK

DS21095J-page 8

? 2004 Microchip Technology Inc.

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24LC22A-I/P 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 VESA E-EDID RoHS:否制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8

24LC22A-I/PG 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 VESA E-EDID Lead Free Package RoHS:否制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8

24LC22A-I/SN 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 VESA E-EDID RoHS:否制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8

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